1．畫出NMOS的特性曲線（指明飽和區，截至區，線性區，擊穿區和C-V曲線）
2．2.2um工藝下，Kn＝3Kp，設計一個反相器，說出器件尺寸。
3．說出制作N-well的工藝流程。
4．雪崩擊穿和齊納擊穿的機理和區別。
5．用CMOS畫一個D觸發器（clk，d，q，q-）。
來源：SOHU
1．畫出NMOS的特性曲線（指明飽和區，截至區，線性區，擊穿區和C-V曲線）
2．2.2um工藝下，Kn＝3Kp，設計一個反相器，說出器件尺寸。
3．說出制作N-well的工藝流程。
4．雪崩擊穿和齊納擊穿的機理和區別。
5．用CMOS畫一個D觸發器（clk，d，q，q-）。
來源：SOHU
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